MCC(美微科半導體)成立于1991年，美微科半導體在全球擁有廣泛的營銷和銷售網(wǎng)絡，是一家面向消費者,工業(yè)市場，醫(yī)療，通信和汽車市場的高品質分立半導體制造商，通過卓越的客戶服務和持續(xù)的產(chǎn)品改進，在質量、成本和交付方面超越客戶的期望。

MCC提供全面的高能效小信號，二極管，整流橋，功率模塊 , MOS, 芯片 。目前約3200人 ，營業(yè)額：人民幣20億元以上（ 2017年、2018年中國半導體功率器件十強企業(yè)）

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產(chǎn)品推廣一:SGT MOFET

  

  

SGT MOSFET優(yōu)勢：

當掩埋源耗盡漂移區(qū)時，增加BVDSS（場板效應），漂移區(qū)的高氮摻雜使RDS（on）最小化減少Qgd，減少米勒電荷耦合，以最大限度地減少假啟動，總的來說，改進了FOM（優(yōu)點系數(shù)=Ron*Qg），降低了開關和傳導損耗

產(chǎn)品推廣二: 充電樁用TO-247 大功率高效超快恢復二極管

  

產(chǎn)品推廣三: SIC肖特基二極管

SiC是由硅（SI）和碳（C）組成的復合半導體材料。它的結合力很強，在熱、化學和機械方面都非常穩(wěn)定。作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅也是晶體生產(chǎn)技術和器件制造水平上最成熟、應用最廣泛的寬帶隙半導體材料之一。目前，已經(jīng)形成了一條集材料、器件、應用于一體的全球產(chǎn)業(yè)鏈。它是高溫、高頻、抗輻射和大功率應用的理想半導體材料。由于碳化硅功率器件可以顯著降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件又被稱為推動新能源革命的綠色能源器件，使得SiC二極管的應用越來越廣泛。

特征

?無反向恢復電流

?高頻操作

?溫度獨立開關

?切換速度極快

?卓越的熱性能

MCC第二代SIC SBD優(yōu)勢

  

第二代優(yōu)勢：

650V/10A，從370um到120um的更薄工藝，更高的電流密度

1200V/10A，從370um到120um工藝更薄，電流密度更高

與C3rd代相比：650V/10A：更高的EAS，HT-IR與C*3代相同

與C*4代相比：1200V/10A：IFSM較高，EAS較低，HT IR較低