曝臺(tái)積電將在南京建新fab,加碼12/16nm
2021-07-14 18:07:52閱讀量:1184來源:芯片大師
來源:DIGITIMES
如果上述消息屬實(shí),將意味著臺(tái)積電可能將在大陸新建至少一座fab,而不只是擴(kuò)大原有產(chǎn)線,理論上12/16nm工藝產(chǎn)能的增加將不止一倍。
如此之大的動(dòng)作不僅將打破臺(tái)積電在中美現(xiàn)階段的產(chǎn)能分布,也對(duì)大陸地區(qū)先進(jìn)工藝晶圓代工格局有直接影響。畢竟目前臺(tái)積電旗下的6座12寸晶圓廠中就有一座位于中國大陸,一旦新fab決定開工,進(jìn)度又將大概率領(lǐng)先于美國亞利桑那州的先進(jìn)晶圓廠。
甚至有猜測(cè)認(rèn)為,該計(jì)劃可能與美國政府施壓南京廠擴(kuò)產(chǎn)有關(guān),此前臺(tái)積電稱靜默期不回應(yīng)相關(guān)傳言。
圖:臺(tái)積電旗下6座12寸晶圓廠
4月,芯片大師曾爆料缺水缺電!臺(tái)積電擬將2萬片產(chǎn)能移至大陸,隨后臺(tái)積電正式公布了這項(xiàng)耗資289億美元、將臺(tái)積電南京廠(Fab16)28nm或以下工藝產(chǎn)能提高一倍的計(jì)劃。
也就是說,臺(tái)積電在計(jì)劃中已經(jīng)預(yù)留了升級(jí)產(chǎn)能甚至建設(shè)新fab的可能性。而12/16nm節(jié)點(diǎn),目前也是大陸晶圓廠最先進(jìn)的邏輯工藝節(jié)點(diǎn),如中芯國際此前在海思麒麟710A上量產(chǎn)的14nm工藝。
圖:臺(tái)積電南京廠(Fab16)
南京廠(Fab16)現(xiàn)階段月產(chǎn)能為2萬片采用12/16nm工藝的12英寸晶圓,在原有產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)之后,南京廠基于28nm及以下工藝的12英寸晶圓月產(chǎn)能將翻倍至每月4萬片,幫助解決未來大陸地區(qū)IC設(shè)計(jì)客戶的迫切需求。
同時(shí),臺(tái)積電已將其2021年的資本支出目標(biāo)提高到300億美元,其中80%將用于7nm、5nm和3nm工藝,10%用于擴(kuò)大先進(jìn)封裝能力。
除此之外,臺(tái)積電已經(jīng)在新竹獲得了用于新建2nm晶圓廠的土地。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù),臺(tái)灣地區(qū)代工業(yè)產(chǎn)值從2019年的375億美元增長到2020年的491億美元,同比增長31%。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5637 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.35 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.318 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 | |
B0505S-1WR3/隔離電源模塊 | 2.34 |
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