最近有很多客戶在使用CS創世 SD NAND的時候都會問SD NAND與SPI NAND有什么區別，下面我們來一起了解下：

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內部材質：主流SD NAND與SPI NAND基本上都是使用SLC NAND FLASH晶圓，擦寫壽命可達5萬-10萬次；
接口以及驅動程序：SD NAND正常接CPU是用SDIO接口，SPI NAND是接SPI接口使用，很多主流的CPU都是自帶SDIO的驅動，因此使用SD NAND的時候不需要在額外的來寫驅動，而使用SPI NAND往往要重新寫驅動
讀寫速度:由于接口和協議的差異，兩者的速度相差較大，SD NAND走的是4bit傳輸帶寬，讀寫速度要比SPI NAND快很多，最高寫入速度可以達到class10，而SPI NAND主流還是1bit傳輸模式，所以速度上會慢很多，理論上相差4倍

以CSNP1GCRR01-AOW和ATO25D1GA為例來說明

CSNP1GCR01-AOW：

是一種基于NANDFlash和SD控制器的1Gb嵌入式存儲密度。與原始NAND相比，該產品有許多優點，具有更強的嵌入式壞塊管理和ECC校驗。即使是在異常斷電時，它仍然能保持數據的安全。CSNP1GCR01-AOW是LGA-8封裝。尺寸為8毫米x6 毫米x0.75毫米mm 

  

ATO25D1GA ：

ATO25D1GA是1Gbit并且帶有32Mbit備用容量的存儲。標準電壓為3.3V。內存被劃分為可以獨立擦除的塊，以便在刪除舊數據時保留有效的數據。該設備包含1024個塊，由64頁組成，由32個系列連接的閃存單元的兩個NAND結構組成。程序操作可以在典型的200字節的2040ms上執行，擦除操作可以在128k字節的典型2ms上的塊上執行。頁面中的數據可以在每個字節的25ns的周期時間內讀出.

  

• SD NAND與SPI NAND都是有塊堆疊而成的，都是一個原始的RAW加上一個控制器，但從單個快來看他們是有區別的。
• SD NAND單個塊為512字節，擦除、讀寫都是以塊為單位進行的，而且SD NAND可以直接寫入，不需要先擦除才能寫入。
• SPI NAND單個塊為128K字節，擦除是以塊為單位的，讀是以頁為單位的，寫是以塊為單位，SPI NAND必須先要進行擦除，才能寫入。

從結構圖來看

SD NAND結構圖

  

SPI  NAND結構圖

  

從數據傳輸來看

SD NAND是基于SD2.0的協議：
直到SD NAND識別模式結束，主機應保持FOD頻率，因為一些SDNAND可能有在SD NAND識別模式下的工作頻率限制。在數據傳輸模式下，主機可能會操作SD NAND，在f PP頻率范圍內。主機發出SEND_CSD (CMD9)來獲取SDNAND特定數據(CSD寄存器)，例如塊長度，SD NAND存儲容量等。廣播命令SET_DSR (CMD4)配置所有標識的SDNAND的驅動程序階段。它對DSR進行編程與應用程序總線布局(長度)、總線上的SDNAND數量和數據傳輸頻率相對應的寄存器時鐘速率也從FOD切換到FPP。SET_DSR命令是SDNAND和主機的一個選項。

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SPI是私有協議：

比如SPI NAND在一個頁面的讀取操作如下圖：

從下圖可以看出來SPI的讀是通過0FH或者13H這樣類似的命令來操作的，以0FH這個操作為例子，從0到7總共8個地址，這8個地址的信息總共占一個字節的存儲空間，然后通過解碼，被地址寄存器輸送信息給通信SI/SO。

  

同樣的寫的操作如下：

這是一個串行數據連續傳輸圖，SLCK這里發送命令從Data Byte2一直到Data Byte2112,然后SI這里一會不間斷的寫入8byte address,剛好也有Data Byte2-Data Byte3------Data BYte2112。

  

塊擦除操作如下

SCLK(時鐘）command通信口SI，然后SI這里發出一個D8h的指令，然后對從MSB（最高有效位）23-0一個24bit Address進行擦寫。

  

SD NAND由于內置了全套管理算法，在穩定度方面會好很多。特別是針對掉電保護這塊。例如CS創世 SD NAND二代通過了客戶10K次的隨機掉電測試。而SPI NAND“繼承”了NAND Flash先擦后寫機制帶來的弊端，在寫入數據的時候突然掉電很容易丟失數據

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從整體來看SD NAND是一個集成了完整的NAND Flash算法的Total Solution,而SPI NAND主要是完成協議的轉換，內置算法并不完整；深圳市雷龍發展科技有限公司是一家專注于SD NAND銷售代理的公司，歡迎各界朋友們隨時來咨詢。