最近我們有客戶朋友在使用CS創(chuàng)世 SD NAND的時(shí)候遇到了這樣的問題，在使用我們SD NAND的時(shí)候，同樣的測(cè)試環(huán)境下，4GB的用的沒有任何問題，用512MB和128MB的用的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)用不了的情況，這種情況是因?yàn)?GB屬于SDHC，512MB和128MB屬于小于2GB的SDSC，本文來簡(jiǎn)單闡述下兩者的區(qū)別。

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CS創(chuàng)世 SD NAND經(jīng)過實(shí)測(cè)是完全遵守SD 2.0協(xié)議的，SD2.0協(xié)議中規(guī)定，小于等于2GB的卡為SDSC，大于2GB的為SDHC在數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中，如果主機(jī)使用部分塊的累計(jì)長(zhǎng)度不能對(duì)齊，而又不允許不對(duì)齊，卡應(yīng)該在第一個(gè)不對(duì)齊的塊開始的時(shí)候就檢測(cè)到這個(gè)問題。

如下圖所示，在CSD寄存器中寫和讀塊不對(duì)齊那里數(shù)字都為0，表示不允許不對(duì)齊，即如果寫塊或者讀塊不對(duì)齊的話就會(huì)報(bào)錯(cuò)，導(dǎo)致數(shù)據(jù)無法傳輸。

  

如果是SDSC，數(shù)據(jù)塊的長(zhǎng)度是 CMD16 中定義的 BLOCK_LEN。如果是SDHC，數(shù)據(jù)塊的大小固定為 512Byte。所以SDSC的adress必須要設(shè)置成0x200的整數(shù)倍，如下圖所示：

  

命令參數(shù)

SDHC中，內(nèi)容訪問命令的 32bit 參數(shù)，使用塊地址格式。塊長(zhǎng)度固定為 512Byte；SDSC中，內(nèi)容訪問命令的 32bit 參數(shù)使用的是字節(jié)地址格式。塊長(zhǎng)度由 CMD16 決定。比如：1.SDSC的 0001h 參數(shù)表示字節(jié)地址 0001h，SDHC表示第 0001h 個(gè) block；2.SDSC的 0200h 參數(shù)表示直接地址 0200h，SDHC表示第 0200h 個(gè) block
 

局部訪問和位移訪問

SDHC因?yàn)槭且詨K為單位的，所以不支持這種，只允許塊地址訪問。
 

設(shè)置塊長(zhǎng)度

當(dāng)以塊地址模式進(jìn)行存儲(chǔ)讀和寫命令時(shí)，不管 CMD16 設(shè)置的塊長(zhǎng)是多少，塊的長(zhǎng)度都固定為 512Byte。就是說塊長(zhǎng)度的設(shè)置不會(huì)影響存儲(chǔ)訪問命令。CMD42(鎖定/解鎖)不屬于存儲(chǔ)訪問命令，因此塊長(zhǎng)度可以通過 CMD16 進(jìn)行設(shè)置。不管卡容量多少，只要塊長(zhǎng)度設(shè)置大于 512Byte，都會(huì)報(bào)錯(cuò) BLOCK_LEN_ERROR。
 

寫保護(hù)組

a) SDHC不支持寫保護(hù)組。因此 CMD28，CMD29，CMD30 會(huì)報(bào)錯(cuò) ILLEGAL_COMMAND
b) 而SDSC可以。

讀

a)對(duì)于SDSC來說，讀操作的超時(shí)時(shí)間是 100 倍的標(biāo)準(zhǔn)訪問時(shí)間或者是 100ms(取較小的)。
讀訪問時(shí)間是 CSD 的參數(shù) TAAC（數(shù)據(jù)訪問時(shí)間） 和 NSAC（時(shí)鐘周期NSAC*100中的數(shù)據(jù)讀訪問時(shí)間）  的和如果是單獨(dú)的讀操作，這些卡的參數(shù) 定義了讀命令的結(jié)束位和數(shù)據(jù)塊的起始位之間的延時(shí)。如果是多塊的讀操作，他們也定義了塊與塊之間的標(biāo)準(zhǔn)延遲。
b)對(duì)于SDHC來說，TAAC（數(shù)據(jù)訪問時(shí)間） 和 NSAC（時(shí)鐘周期NSAC*100中的數(shù)據(jù)讀訪問時(shí)間） 是寫死的值。主機(jī)應(yīng)該使用 100ms(最小)作為超時(shí)時(shí)間而不是使用 TAAC 和 NSAC 的和。

寫

a)對(duì)于SDSC來說，超時(shí)時(shí)間應(yīng)該是 100 倍的標(biāo)準(zhǔn)操作時(shí)間，或者是 250ms(取較小的)。

CSD 中的 R2W_FACTOR 區(qū)域用來指示標(biāo)準(zhǔn)的操作時(shí)間，這個(gè)值乘以讀訪問時(shí)間就是寫訪問時(shí)間。所有的寫操作都是這個(gè)時(shí)間(SET(CLR)_WRITE_PROTECT，PROGRAM_CSD，以及塊讀命令)
b)對(duì)于SDHC來說，R2W_FACTOR 也是一個(gè)寫死的值。所有寫操作 Busy 的最大值是 250ms。主機(jī)應(yīng)該使用 250ms 作為單塊或多塊寫操作的超時(shí)時(shí)間，而不使用 R2W_FACTOR。
 
因此同樣是滿足SD協(xié)議，不同容量的產(chǎn)品還是有一些差別的。因此客戶朋友在選擇產(chǎn)品的時(shí)候，可以提前咨詢我們，節(jié)省產(chǎn)品的開發(fā)時(shí)間。

CS創(chuàng)世 SD NAND目前在航空航天、鐵路交通、電力水力等一系列的市場(chǎng)中都得到了廣泛的應(yīng)用，歡迎各位朋友前來了解咨詢。