全球半導體競爭焦點——第三代半導體

2023年以碳化硅、氮化鎵寬禁帶化合物為代表的第三代半導體，依然是全球半導體市場爭奪的焦點。隨著碳化硅功率器件材料成本的逐年下降和產品良率的快速提升，除在新能源汽車、風電、光伏、大功率工業電源產品中得到了廣泛的應用外。家電變頻、LED商顯、手機筆電的快充頭也開始大規模的采用。2023年，將是碳化硅功率器件高速發展，也是各大品牌搶占核心市場的一年。圍繞國家碳中和、碳達峰目標，國家對供應鏈安全的考量、政策支持和資本市場的活躍，2023年第三代半導體將迎來重要的發展機遇。

 

   

碳化硅功率器件——國產替代空間廣闊

綜覽全球第三代半導體產業的發展，碳化硅市場目前已形成了供不應求與國產替代的產業競爭格局，目前國際大廠 600-1700V 碳化硅SBD、MOSFET均已實現量產，而國內碳化硅 MOSFET 器件制造平臺仍在搭建中，部分公司的產線仍處于計劃階段。碳化硅產品的競爭空間及國產替代空間廣闊。

 

   

第三代半導體核心研發企業之一

瑞森半導體專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售，為全球客戶提供功率半導體整體解決方案。公司專注于高質、高性能、高穩定的產品研發，核心研發第三代半導體技術，并成立瑞森半導體科技（湖南）有限公司，與湖南大學創建“湖南大學半導體學院產教融合基地”，深度進行第三代半導體技術的創新研發。是國內少數第三代半導體SiC SBD及MOSFET成功量產的企業之一，品質、性能對標國際一線品牌，實現國產替代。

  

 

瑞森半導體于2018年開始研究、設計碳化硅功率器件，2019年推出650V 碳化硅二極管系列，2020年又推出了1200V碳化硅二極管和MOS管，是國內較早一批致力于碳化硅產品研發的企業之一，經過多年的產品開發和技術升級，不斷推陳出新，2022年成功推出薄片工藝碳化硅二極管，全系列產品具備更低的低VF和更高的浪涌電流能力。目前瑞森半導體SiC MOSFET系列已成功量產650V、1200V 、 1700V(國內領先)； SiC SBD系列成功量產650V~1700V (國內領先)，3300V 研發中。

  

 

瞄準第三代半導體市場

瑞森半導體在2023年將擴大第三代半導體的布局，繼續加大研發投入，優化產品設計的同時也優化生產制程，開發更低VF值的二極管產品、完善650V和1700V MOS產品系列，還將就更高耐壓、更大電流，模塊化等方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持續投入研發。瞄準第三代半導體市場，共促國產碳化硅(SiC)半導體發展。 

 

   

瑞森半導體入駐立創商城，歡迎咨詢及選購

瑞森半導體專注深耕功率半導體行業16年，產品性能對標國外知名品牌，產品遠銷海內外，廣泛應用于新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲能、工業控制和消費類電子等領域。瑞森半導體除核心產品碳化硅產品系列外，將陸續在立創商城上架硅基平面MOS、超結MOS、低壓MOS、LED驅動IC、電機驅動IC等產品系列，更好地服務于中小制造企業、電子工程師等，讓客戶可以快速的了解瑞森半導體的各項產品參數，誠邀廣大客戶在平臺咨詢。

  

 

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