中低壓 MOS 設(shè)計(jì)、運(yùn)營、服務(wù)商:TMC(臺(tái)懋)
2023-08-09 12:00:28閱讀量:1865
臺(tái)懋科技股份有限公司作為全球領(lǐng)先的中低壓 MOS 設(shè)計(jì)、運(yùn)營、服務(wù)商, 自1988年在新竹工業(yè)園成立以來,一直秉承于敬畏科技、忠于客戶的服務(wù)理念, 致力節(jié)能、高效半導(dǎo)體的發(fā)展與產(chǎn)品開發(fā),在 Tritech-MOS 品牌上營造更高性價(jià)比的產(chǎn)品,爲(wèi)客戶提供優(yōu)質(zhì)産品及服務(wù)為核心。
臺(tái)懋總部擁有平面、溝槽、SGT、IGBT、SIC 全系列 MOSFET 先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)和制程整合技術(shù),全方位應(yīng)用全電壓領(lǐng)域;并可提供單一或多核心之客制化産品。當(dāng)前產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 LED 照明,車燈,動(dòng)力鋰電池保護(hù)板,馬達(dá)驅(qū)動(dòng),電動(dòng)工具,家電智能控制,電動(dòng)車電源,充電椿等多種領(lǐng)域,未來應(yīng)用前景將更加廣闊。
臺(tái)懋的技術(shù)傳承自 IR 國際整流,從步進(jìn)電機(jī)進(jìn)入,曾協(xié)調(diào) Sinopower, APEC,ANPEC 先后研發(fā) VD MOS,應(yīng)用于臺(tái)灣昂寶體系,結(jié)合來自 CSMC 的流片工藝,和富鼎先進(jìn)的技術(shù)。先后在 Trench 工藝取得先進(jìn)的成就。在新產(chǎn)品應(yīng)用之際,我司提出 Split Gate 工藝,采用全新有區(qū)別于傳統(tǒng)英飛凌的架構(gòu), 從新結(jié)合現(xiàn)有的技術(shù)要求。開拓出屬于我司體系的 Slit Gate 工藝的產(chǎn)品。
目前我司流片廠:臺(tái)灣鉅晶電子,上海華虹宏力,世界先進(jìn)積體電路
三大流片廠:業(yè)務(wù)范圍涵蓋動(dòng)記憶體制造及晶圓代工兩大類別,目前代工客戶涵蓋了目前國內(nèi)外 90%的集成電路-MOSFET 的品牌,質(zhì)量控制和工藝平臺(tái)能力,在世界范圍內(nèi)都是首屈一指。

封裝檢測(cè)
外部環(huán)境測(cè)試
封裝外形環(huán)保認(rèn)證
推薦產(chǎn)品-鋰電
鋰電 3-5 串/4-6 串 電壓:13V-21V,16V-25V
鋰電 5-7 串 電壓:25V-35V

鋰電 24 串 電池電壓:88V
推薦產(chǎn)品-電機(jī)(馬達(dá) MOS)控制器:
推薦產(chǎn)品-小家電:
推薦產(chǎn)品-電源適配器/開關(guān)電源-次級(jí)同步整流-后段濾波整流:
推薦產(chǎn)品-LED 車燈:

推薦產(chǎn)品-3c 數(shù)碼:

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5637 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.35 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.318 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 | |
B0505S-1WR3/隔離電源模塊 | 2.34 |
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