導(dǎo)讀：近日，意法半導(dǎo)體宣布推出基于 18nm 全耗盡絕緣體上硅 (FD-SOI) 技術(shù)的先進(jìn)工藝，并配備嵌入式相變存儲器 (ePCM)，以支持下一代一代嵌入式處理設(shè)備。

這項由意法半導(dǎo)體和三星代工廠共同開發(fā)的新工藝技術(shù)，為嵌入式處理應(yīng)用帶來了性能和功耗的飛躍，同時允許更大的內(nèi)存容量和更高水平的模擬和數(shù)字外設(shè)集成。首款基于新技術(shù)的下一代 STM32 微控制器將于 2024 年下半年開始向選定客戶提供樣品，計劃于 2025 年下半年投入生產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁表示：“作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先創(chuàng)新者，意法半導(dǎo)體率先為我們的客戶帶來了用于汽車和航空航天應(yīng)用的FD-SOI和PCM技術(shù)。我們現(xiàn)在正在采取下一步行動，從下一代 STM32 微控制器開始，將這些技術(shù)的優(yōu)勢帶給工業(yè)應(yīng)用開發(fā)人員。”

技術(shù)優(yōu)勢
與目前使用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術(shù)相比，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 極大地提高了關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)：

1、性能功耗比提高 50% 以上
2、非易失性存儲器 (NVM) 密度提高 2.5 倍，可實現(xiàn)更大的片上存儲器
3、數(shù)字密度提高了三倍，可集成人工智能和圖形加速器等數(shù)字外設(shè)以及最先進(jìn)的安全功能
4、噪聲系數(shù)改善 3dB，增強(qiáng)無線 MCU 的射頻性能

該技術(shù)能夠在 3V 電壓下運(yùn)行，以提供電源管理、復(fù)位系統(tǒng)、時鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能。它是唯一支持此功能的 20 納米以下技術(shù)。該技術(shù)還憑借在汽車應(yīng)用中已得到驗證的強(qiáng)大高溫操作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保留功能，提供了要求苛刻的工業(yè)應(yīng)用所需的可靠性。