導讀：Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司現推出業界領先的1200V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D²PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ R_Dson 值可供選擇。

這是繼 Nexperia 于 2023 年底發布兩款采用 3 引腳和 4 引腳 TO-247 封裝的 SiC MOSFET 分立器件之后的又一新產品，它將使其 SiC MOSFET 產品組合迅速擴展到包括 R_Dson 值為 17、30、40、60 和 80 mΩ 且封裝靈活的器件。 

隨著 NSF0xx120D7A0 的發布，Nexperia 正在滿足市場對采用 D²PAK-7 等 SMD 封裝的高性能 SiC 開關日益增長的需求，這種開關在電動汽車(EV)充電（充電樁）、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等各種工業應用中越來越受歡迎。這也進一步證明了 Nexperia 與三菱電機公司(MELCO)之間成功的戰略合作伙伴關系，兩家公司聯手將 SiC 寬帶隙半導體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時還提高了該技術的未來生產能力，以滿足不斷增長的市場需求。

R_Dson 是 SiC MOSFET 的一個關鍵性能參數，因為它會影響傳導功率損耗。然而，許多制造商只關注標稱值，而忽略了一個事實，即隨著設備工作溫度的升高，R_Dson 相比室溫下的標稱值可能會增加 100% 以上，從而造成相當大的傳導損耗。Nexperia 發現這也是造成目前市場上許多 SiC 器件的性能受限的因素之一，新推出的 SiC MOSFET 采用了創新型工藝技術特性，實現了業界領先的 R_Dson 溫度穩定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作溫度范圍內，R_Dson 的標稱值僅增加38%。

嚴格的閾值電壓 VGS(th) 規格使這些 MOSFET 分立器件在并聯時能夠提供平衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率，同時還能放寬對續流操作的死區時間要求。