工程師必備MOSFET產業鏈解析
2024-08-27 11:01:29閱讀量:534
MOSFET全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種廣泛應用于模擬電路與數字電路的場效晶體管,用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化,可實現開關和信號放大等功能,與雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,也稱 BJT、三極管)和絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,也稱 IGBT)同屬于晶體管領域。MOSFET 具有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩定性好等特性,應用于包括通信、消費電子、汽車電子、工業控制在內的眾多領域。
在5G、PC 和云服務器、新能源汽車等市場的推動下,全球 MOSFET 市場高速度增長。2021年,全球市場規模首次突破100億美元,達到113.2億美元,同比+33.6%;國內市場規模達到46.6億美元,同比+37.9%,增幅高于全球水平。
隨后幾年全球 MOSFET 市場將持續增長,2019年全球MOSFET器件市場需求規模達到84.20億美元,受疫情影響,2020年預計市場規模下降至73.88億美元,但預計未來全球MOSFET器件市場將繼續保持平穩回增,2024年市場規模有望恢復至77.02億美元。
隨著國內 MOSFET 市場的持續快速增長,中國市場在全球市場的占比也將持續提升,從2021年的41.2%提升至2026年的43.3%。國產化率也快速提升,2021年國內 MOSFET 市場的國產化率為30.5%,預計2026年國產化率將達到 64.5%。產品結構來看,平面型 MOSFET 和溝槽型 MOSFET 的國產化率高于超級結型 MOSFET,預計到2026年,平面型 MOSFET、溝槽型 MOSFET 和超級結型 MOSFET 的國產化率將分別達到68.7%、66.6%和 47.9%。
MOSFET產業鏈主要包括原材料供應、生產制造、封裝測試、銷售與應用等環節。
其中,原材料供應環節涉及硅材料、金屬氧化物、摻雜劑等關鍵材料的生產和供應,生產制造環節則涵蓋MOSFET芯片的設計、制造、測試等;封裝測試環節是將MOSFET芯片封裝成成品,并進行性能測試;
銷售與應用環節則是將MOSFET產品應用于汽車電子、通信、工業電子等領域。
▲ 原材料供應:
隨著MOSFET市場的不斷擴大,原材料供應環節呈現出多元化、專業化的趨勢。硅材料作為MOSFET的主要原材料,其供應穩定且成本較低,為MOSFET產業的發展提供了有力保障。同時,金屬氧化物、摻雜劑等關鍵材料的生產技術也在不斷進步,為MOSFET芯片的性能提升提供了可能。
▲ 生產制造:
目前,全球MOSFET生產制造主要集中在亞洲地區,尤其是中國、韓國等國家和地區。這些地區的MOSFET制造企業憑借其技術優勢和成本優勢,不斷推動MOSFET產業的發展。同時,隨著智能制造、物聯網等技術的不斷應用,MOSFET生產制造環節正在向數字化、智能化方向轉型。
▲ 封裝測試:
封裝測試環節是MOSFET產業鏈中不可或缺的一環。隨著MOSFET芯片性能的不斷提升,對封裝測試技術的要求也越來越高。目前,國內外封裝測試企業正在不斷加強技術研發和創新,以滿足MOSFET產品的多樣化需求。
▲ 銷售與應用:
隨著汽車電子、通信、工業電子等領域的快速發展,MOSFET產品的市場需求不斷增長。國內外MOSFET企業紛紛加大市場拓展力度,通過技術創新、品質提升等方式提高產品競爭力。同時,隨著新能源汽車、物聯網等新興領域的興起,MOSFET產品的應用領域也在不斷拓展。
1.技術創新:隨著半導體技術的不斷發展,MOSFET芯片的性能將不斷提升,同時制造成本也將不斷降低。未來,MOSFET產業鏈將更加注重技術創新和研發投入,以推動產業的持續發展。
2.智能制造:智能制造將是MOSFET產業鏈未來的重要發展方向。通過引入物聯網、大數據等先進技術,實現MOSFET生產制造的數字化、智能化轉型,提高生產效率和產品質量。
3.綠色環保:隨著全球環保意識的不斷提高,綠色環保將成為MOSFET產業鏈的重要發展方向。MOSFET企業將更加注重環保和可持續發展,推動產業鏈的綠色轉型。

L7805CV-DG/線性穩壓器(LDO) | 0.5637 | |
AMS1117-3.3/線性穩壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.35 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.318 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 | |
B0505S-1WR3/隔離電源模塊 | 2.34 |