“矽普半導(dǎo)體”成立于2017年10月，是一家專業(yè)從事于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于功率半導(dǎo)體器件進(jìn)口替代，努力成為國內(nèi)領(lǐng)先，國際知名的行業(yè)廠商。公司總部位于合肥市高新區(qū)，研發(fā)中心位于上海張江高科，深圳龍華區(qū)設(shè)有辦事處。公司技術(shù)人員占比30%，核心成員均有行業(yè)內(nèi)十余年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，精通功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)、應(yīng)用、市場。 矽普半導(dǎo)體產(chǎn)品以20V-250V的中低壓MOSFET和1200V高壓 SiC MOS為主，公司產(chǎn)品型號豐富，廣泛運(yùn)用于消費(fèi)類電子與家電、新能源、工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動、汽車電子等市場領(lǐng)域。

 

矽普半導(dǎo)體產(chǎn)品已導(dǎo)入國內(nèi)知名企業(yè)，有著一套完整的研發(fā)、銷售和服務(wù)體系。結(jié)合自身技術(shù)優(yōu)勢，與行業(yè)內(nèi)知名晶圓代工廠和一線封裝測試代工廠緊密合作，在芯片設(shè)計(jì)、晶圓流片、封裝測試、可靠性測試方面建立了完善的質(zhì)量管理體系，確保產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)和供貨穩(wěn)定。

 

 

 產(chǎn)品類型及市場應(yīng)用

 

1、小電流MOSFET類型：擊穿電壓選擇范圍-100V至100V，電流選擇范圍100mA至10A，并有多種流行封裝外形可供選擇。小電流MOSFET通過采用先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)和封裝工藝技術(shù)，使產(chǎn)品具有體積小、低導(dǎo)通阻抗、低閾值電壓、高可靠性等特點(diǎn)。主要應(yīng)用于消費(fèi)類電子，智能家居，智能穿戴，移動通訊、鋰電保護(hù)等多種應(yīng)用領(lǐng)域。

 

2、低壓MOSFET類型：產(chǎn)品擊穿電壓選擇范圍-60V至100V，電流選擇范圍3.5A至150A，封裝外形包括TO-252、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多種封裝，主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，對設(shè)備正常運(yùn)行起到關(guān)鍵作用。主要應(yīng)用于工業(yè)新能源類，散熱風(fēng)扇、光伏新能源、戶外便攜儲能、智能家居、BMS保護(hù)等多種應(yīng)用領(lǐng)域。

 

3、SGT MOSFET類型：與傳統(tǒng)溝槽型MOSFET相比，SGT MOSFET采用了更優(yōu)的工藝設(shè)計(jì)，內(nèi)阻低、開關(guān)損耗小，同等功耗下芯片面積可減少40%，EAS能力更強(qiáng)，具有高穩(wěn)定性和可靠性、高開關(guān)速度、高應(yīng)用效率等優(yōu)點(diǎn)。有TO-252、TO-263、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多種封裝外形，為客戶設(shè)計(jì)提供更多更優(yōu)選擇。主要應(yīng)用于工業(yè)新能源類，儲能光伏逆變器、充電樁、車載充電器、無人機(jī)、割草機(jī)、電動工具、鋰電保護(hù)、通信電源等多種應(yīng)用領(lǐng)域。

 

4、SiC MOSFET類型：產(chǎn)品擊穿電壓1200V，SiC MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)以及更優(yōu)工藝設(shè)計(jì)，具有較低的柵電荷 Qg，開關(guān)頻率高，導(dǎo)通電阻隨溫度的變化低等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于高壓、高溫、高頻、大電流應(yīng)用領(lǐng)域。主要應(yīng)用于電動車充電樁、開關(guān)電源，光伏逆變器，儲能變流器，車載充電器等領(lǐng)域。

 

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