導語：據南京市政府官方消息，國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷經4年自主研發，成功突破溝槽型SiC MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型SiC MOSFET芯片性能“天花板”，實現我國在該領域首次突破。

國家第三代半導體技術創新中心（南京）

SiC是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場，高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。SiC MOS主要分為平面和溝槽兩種結構，目前業內應用以平面SiC MOSFET芯片為主。

溝槽柵結構的設計比平面柵結構具有更明顯的性能優勢，可實現更低導通損耗，更好的開關性能、更高的晶圓密度，從而大大降低芯片使用成本。但由于一直受限于制造工藝，溝槽型 SiC MOSFET芯片產品遲遲未能問世。

平面型SiC MOSFET與溝槽型SiC MOSFET對比（芯片大師自制）

國家第三代半導體技術創新中心（南京）技術總監黃潤華稱“關鍵就在工藝上”，SiC 材料硬度非常高，改平面為溝槽，就意味著要在材料上“挖坑”，且不能“挖”得“坑坑洼洼”的。

在制備過程中，刻蝕工藝的刻蝕精度、刻蝕損傷以及刻蝕表面殘留物均對 SiC 器件的研制和性能有致命的影響。

科研人員在第三代半導體—碳化硅芯片產線上檢測產品（來源南京日報）

據黃潤華介紹 SiC 功率器件本身相比 Si 器件具備省電優勢，可提升續航能力約5%；應用溝槽結構后，可實現更低電阻的設計。在導通性能指標不變的情況下，則可實現更高密度的芯片布局，從而降低芯片使用成本。

目前中心正在進行溝槽型 SiC MOSFET 芯片產品開發，推出溝槽型的SiC 功率器件，預計一年內可在新能源汽車電驅動、智能電網、光伏儲能等領域投入應用。