STM32F407 MCU使用SD NAND 不斷電初始化失效解決方案
2024-12-26 14:18:39閱讀量:926
在嵌入式系統領域,STM32F407微控制器單元(MCU)與SD NAND的結合提供了強大的存儲解決方案。然而,不斷電初始化失效問題可能會導致系統穩定性和數據完整性受損。我們將STM32F407與SD NAND集成時可能遇到的初始化問題,并提供專業的解決方案。
STM32F407MCU 搭配 米客方德SD NAND型號MKDV4GCL-ABB方案:
初始化失效如下圖:
黃色:miso
綠色:mosi
藍色:clk
紫色:片選
從圖中看問題:
1,MISO(主輸入從輸出):MISO信號是SD卡的響應信號沒出來。在初始化過程中,SD卡在MISO線上發送特定的響應碼。檢查不到響應碼。
2,片選信號(CS),片選信號應該在初始化過程中正確地拉低。檢查CS信號沒有在正確的時間點被拉低,以激活SD卡。
解問題方法:
1,在SD卡上電后,先向SD卡發送至少74個時鐘周期,以完成SD卡的自身檢查和初始化,進入IDLE狀態。CS和MOSI引腳必須保持高電平
2,在發送CMD0命令(0x40)復位SD卡時,需要拉低CS信號
3,發送完CMD0命令后,等待SD卡返回響應數據,然后等待8個時鐘周期再拉高CS信號
4,在后續的CMD8、CMD55和ACMD41命令中,每次發送命令前都需要拉低CS信號,命令發送完成后等待響應數據,然后等待8個時鐘周期再拉高CS信號.
5,CS信號應該在以下時間點拉低:
發送CMD0命令前。
發送CMD8命令前。
發送CMD55命令前。
發送ACMD41命令前。
發送CMD24寫操作命令前。
發送CMD17讀操作命令前
SD卡不能一直讀寫狀態的條件下操作:
錯開SD卡讀寫時間,MCU再做復位,軟件時序修改SD卡停止讀寫完后,MCU再做復位操作。
正常圖如下:
STM32F407 MCU與米客方德SD NAND的結合適用于工業控制、智能監控、醫療設備和智能家居等應用場景,為這些領域提供了高效、可靠的數據存儲和處理能力。

L7805CV-DG/線性穩壓器(LDO) | 0.5637 | |
AMS1117-3.3/線性穩壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.35 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.318 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 | |
B0505S-1WR3/隔離電源模塊 | 2.34 |