中國半導體器件型號命名方法

半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。

五個部分意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。（2-二極管、3-三極管）

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。

第四部分：用數(shù)字表示序號。

第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號。

例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。

日本半導體分立器件型號命名方法

日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。

第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。

第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。

第五部分：用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。

美國半導體分立器件型號命名方法

美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符號表示器件用途的類型。

第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。

第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。

第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。

第五部分：用字母表示器件分檔。

如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

 

國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。

第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導體器件的登記序號。

第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進行分檔的標志。除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。

常見后綴如下：

穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。

如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

 

歐洲早期半導體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。

第一部分：O-表示半導體器件。

第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。

第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。

第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。