導讀：3年以內晶圓代工領域的兩強相爭將更為激烈，Intel夢在何方？

1月3日，據韓媒Business Korea報道，基于GAAFET改進工藝，三星電子已經完成3nm制程的研發工作。

  

圖：三星3nm制程研發成功（Business Korea）

此前，我們在文章美國正制定規則，擬限制對中國出口GAAFET技術！中介紹了3nm時代具有代表性的GAAFET工藝。

2017年，IBM利用GAAFET實現了5nm芯片制程。在2018年5月，三星宣布將利用改良自GAAFET的專利結構MBCFET，實現5nm、4nm及3nm制造工藝，而這一步終于在2020年1月3日得以實現，這意味著三星將在代工領域繼續保持對臺積電的攻勢。

根據三星此前發布的工藝路線圖，將使用極紫外（EUV）曝光技術制造4個7nm至4nm的FinFET工藝，然后使用EUV制造3nm GAA和MBCFET。同7nm FinFET相比，使用GAA及衍生結構的芯片面積最高減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

這項技術成果的落地對三星具有里程碑意義，為此，1月2日三星電子副董事長李在镕專程訪問了京畿道的三星半導體研究中心。而臺積電目前正處于3nm制程試產階段，島內負責3nm量產的廠房已經于2019年順利通過環評。