導讀：6月1日，三星電子官方宣布將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）NAND閃存芯片生產能力，投資約57億美元（約466億人民幣）。

5月21日三星電子就透露過，為了能早日實現現代處理技術擴展到5G、高性能計算和人工智能在內的眾多當前和下一代應用中，全新的生產線將專注于EUV 5nm 工藝，預計6月開始建設，并將于2021年下半年全面投入運營。新平澤工廠的全面運營將大大提高三星基于EUV的鑄造產能。

據悉，這是為了三星最先進的V-NAND產品而進行的生產線建設。

三星電子代工總監ES Jung博士說：“新的制造工廠將把三星的制造能力擴展到5納米以下，使我們能夠迅速滿足對基于EUV的解決方案不斷增長的需求。”他還說道：“我們將繼續通過積極的投資和招聘來滿足客戶的需求，這不僅可以推動三星代工業務能力，還能開辟新的視野。”

不僅如此，2019年建設的位于韓國華城的V1 生產線，在2019年末實現7nm 工藝生產。如今華城工廠也將改造，升級到5nm 工藝。

三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條芯片制造產線（其在美國有一條8nm 生產線）。這無疑使三星電子的產能大大提高。