【芯天下】設計首選!SD NAND硬核推薦
2020-06-24 09:54:53閱讀量:5182
1984年,東芝首先提出了快速閃存的概念,4年后Intel將容量256K bit閃存投放市場,1989年東芝成功研制出了NAND Flash。
2000年后,國際大廠紛紛進入NAND Flash市場 ,伴隨制造工藝從9xnm到2x,1xnm的快速迭代,NAND 在每個Mbit的成本優勢開啟了替換NOR Flash的時代,應用需求也爆發增長。TSOP48 12x20x1.2mm(Thin Small Outline Package)薄小封裝伴隨NAND Flash 發展逐漸成為主流,而更小尺寸和更高安全等級(隱藏引腳)的BGA63 11x9x1.06mm(Ball Grid Array)封裝也緊隨其后支撐了SLC NAND的需求與革新。
2010年后IoT時代來臨,無線通訊,智能終端,便攜穿戴設備快速發展,智能化,低功耗和小型化成為趨勢,集成度更高的單晶片解決方案受到設計師的追捧,SoC(System On Chip)和SIP(System In Package)加速發展。SIP憑借封裝尺寸小、成本低、集成度高的綜合優勢在耳機、手環等穿戴類產品中被廣泛采用,封裝小型化在各個應用領域加速發展。
芯天下技術董事長兼CEO龍冬慶表示,“作為存儲器的后來者,我們必須持續創新,不僅追求芯片面積最小,也要向更小尺寸封裝創新,為客戶創造價值。”
芯天下開創性地將3V/1.8V 電壓,1Gbit~8Gbit 容量的全系列并、串行 NAND Flash成功移植到BGA24 6x8mm小封裝上實現大規模量產。從2017面世以來累計出貨超過兩千萬片,滿足了大容量,小尺寸,高安全性,高可靠性和成本競爭力的客戶需求,BGA24也逐漸取代TSOP48成為物聯網時代SLC NAND Flash設計首選。
SD NAND硬核推薦
另外,隨著物聯網的興起,終端產品趨于小型化、對元器件的尺寸要求越來越高,市場體量大的消費類電子產品成本壓力也越來越大。為了滿足小尺寸、大容量、低成本和高穩定性需求,芯天下率先推出SD 2.0標準,以SLC NAND為基礎的小型化LGA8 8x6mm封裝SD NAND產品。
芯天下SD NAND產品及特性
1.可靠性高。芯天下以穩定可靠的SLC(Single Level Cell)NAND為基礎,內置高速SD NAND 控制器,讀取速度可達50MHz,SLC NAND每單元儲存一位數據的架構確保了數據穩定、可靠,可支撐10萬次擦寫次數;嚴格的可靠性設計與驗證,可確保產品在-30℃~85℃溫度范圍穩定工作。
2.容量多選。芯天下提供3V 1Gbit, 2Gbit, 4Gbit和8Gbit多容量選擇,便于客戶在不變更硬件設計的情況下靈活選擇合適的容量,有效控制成本。
3.兼容性強。SD經過20多年的發展,已是嵌入式系統的首選便攜半導體存儲方案。SD NAND兼容SD 2.0標準,已獲得超過20家平臺認證和參考設計推薦。
4.尺寸小,焊接穩定。相對于需要熱插拔卡槽的卡片式存儲方案,LGA8 6*8mm封裝大大節約了PCB板面積,節省了機械卡槽的成本,讓最終產品體積更小更美觀。與PCB板的直接焊接使數據讀取更可靠,解決了卡槽插拔次數的使用限制。
應用案例
芯天下提供優質的設計服務
在修改硬件兼容性設計之前,為了方便客戶的評估和測試,我們制作了Micro SD轉LGA8封裝的測試板,焊接到轉接板上就可以當Micro SD 卡來使用,如下圖所示:


L7805CV-DG/線性穩壓器(LDO) | 0.5637 | |
AMS1117-3.3/線性穩壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.35 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.318 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 | |
B0505S-1WR3/隔離電源模塊 | 2.34 |