導讀：12月18日，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發的 ArF 光刻膠產品成功通過客戶使用認證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。

  

圖：南大光電公告

公告稱，“ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過，標志著“ArF 光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一只國產 ArF 光刻膠。

芯片大師認為，此舉意味著國產193nm ArF 光刻膠產品正式由研發走向量產階段。

認證評估報告顯示，“本次認證選擇客戶 50nm 閃存產品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的 ArF 光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求，良率結果達標。”

本次驗證使用的 50nm 閃存技術平臺，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm 光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業界有代表性。

公告稱與該客戶的產品銷售與服務協議尚在協商之中，但公告并未透露使用該光刻膠的閃存客戶是哪一家。

  

圖：半導體光刻膠的分類（來源：興業證券）

據悉，ArF 光刻膠材料是集成電路制造領域的重要關鍵材料，可以用于90nm-14nm 甚至 7nm 技術節點的集成電路制造工藝，廣泛應用于高端芯片制造（如邏輯芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存儲器和云計算芯片等）。

在此之前，國產光刻膠此前只能用于低端工藝生產線中，能做到G 線（436nm）、I 線 （365nm）水平，作為先進工藝的入場券，攻克可用于28nm -7nm DUV工藝的193nm ArF光刻膠至關重要。而目前國內主要在用的 ArF 光刻膠主要靠進口，EUV光刻膠主要供應來自日本。

南大光電于2017年開始研發“193nm 光刻膠項目”，已獲得國家“02 專項”的相關項目立項，公司計劃通過3年的建設、投產及實現銷售，達到年產25噸 193nm（ArF干式和浸沒式）光刻膠產品的生產規模，產品將滿足集成電路行業需求標準。