三星報案:數百項芯片機密或外泄!
2022-03-24 17:23:53閱讀量:386
導讀:3月24日,據多家韓媒報道,三星電子稱最近發現數百份先進芯片制造機密文件可能被員工私自拍攝,韓國國家情報院 (NIS) 已對技術泄密案展開調查。
圖:NIS正在盤問一名涉嫌泄密員工
三星電子稱,一名員工可能拍攝了與公司芯片制造過程相關的機密信息,正在對此案進行調查并向韓國國家情報院報案。
據報道,這名計劃從三星電子離職的員工就職于DS事業部代工業務部,涉嫌在家辦公期間訪問、查看和拍攝公司機密信息,包括多份半導體相關電子文件。
據多家媒體報道,該員工拍攝了數百個商業機密,推測這些信息可能是為了將其提供給競爭對手而被獲取的。由于數據庫系統訪問阻止屏幕截圖,該員工使用智能手機記錄信息,并在訪問后被系統檢測到。
據悉,這些芯片制造資料可能涵蓋先進的半導體制造技術,例如5nm或3nm先進工藝相關技術。據三星發言人稱,目前尚不清楚被盜信息的類型以及該人是否將其交給了第三方。
三星電子通過其電子文件管理系統 (EDM) 檢測到該員工訪問機密數據,并根據《工業技術保護法》于3月22日立即向國家情報院 (NIS) 報案。NIS與貿易、工業和能源部分享了三星的報告,并正在進行調查以了解案件的細節。
而就在不久之前,三星代工部門就爆出因涉嫌芯片良率造假被調查。
根據三星的一份報告,三星電子已對三星代工廠高管的潛在欺詐行為展開調查。據稱,高管可能捏造5nm和4nm芯片的良率數據,因此三星為提高良率而分配的資金可能會錯位。
而造成此事的導火索是,媒體爆出大客戶高通將4nm 驍龍8 Gen 1及后續所有下一代3nm SoC訂單交由臺積電代工,三星該系列產品代工良率被曝僅為35%。
3月16日股東大會上,三星電子高管首次承認5nm及以下工藝的良率存在問題,并稱正在解決以改善。

L7805CV-DG/線性穩壓器(LDO) | 0.5637 | |
AMS1117-3.3/線性穩壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.35 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.318 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 | |
B0505S-1WR3/隔離電源模塊 | 2.34 |