在市場需求的加持下，MDD強勢推出三種工藝MOSFET系列產品，為客戶提供高可靠、高性能的解決方案。

根據Omdia的數據，2020年全球功率MOSFET的市場規模為81億美元，在新能源汽車，工業控制、5G通訊等市場需求的加持下，全球增速將保持高速增長，預測在2025年將達到118.47億美元。

MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬與數字電路的場效應晶體管。MOSFET 器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，是功率半導體的基礎器件。

從汽車電子的應用場景看，MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅動系統中的變速箱控制器以及制動、轉向控制，都離不開MOSFET。相比較于燃油汽車而言，新能源汽車的智能化、電動化的發展，加快了市場對MOSFET需求的進程，比如DC/DC的高壓MOSFET、OBC 中的超級結MOSFET等需求激增，以滿足實際運行中，對工作電流和電壓的更高要求。

  

 

MDD辰達半導體憑借多年的行業經驗與技術積累，在夯實二極管、三極管、整流橋的產品基礎上，積極布局MOSFET系列產品，從產品規劃、質量、工藝等方面取得重大突破。目前MDD面向汽車電子、電源、工控、消費電子等應用場景，推出三種工藝MOSFET系列產品，為客戶提供高可靠、高性能的解決方案。

① Planar MOSFET

采用業界最新的平面技術設計制造而成，具有低導通損耗，高雪崩能量，高可靠性，更好的EMI兼容性等特點。高壓平面MOSFET產品涵蓋500V-700V系列電壓范圍，如MDD7N65D，MDD20N50P，MDD12N65F等可滿足各種電源系統的需求（主要照明驅動、適配器）。

  

 

② Trench MOSFET

采用先進的Trench 技術設計制造而成，產品具有抗沖擊能力強，高雪崩能力，高可靠性等特點。

該系列產品涵蓋N/P 20V~120v電壓范圍，如MDD2301，MDD15N10D，MDD2306等針對不同應用領域對器件性能的需求特點采用不同的設計方案，是器件在各個應用場合性能最佳?？蓮V泛應用消費類電子通用器件，小電流等。

  

 

 ③ SGT MOSFET

采用優化的溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術，全面提升了器件的開關特性和導通特性，同時降低了器件的特征導通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產品涵蓋30V~150V，如MDDG04R1P9G，MDDG10R08P， MDDG10R08D可廣泛應用于電機驅動、同步整流等領域中。

  

 

MDD辰達半導體簡介

深圳辰達行電子有限公司（簡稱MDD辰達半導體）是一家專注于半導體功率器件研發設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業。

公司深耕半導體領域15載，始終堅持以產品技術為驅動，以客戶需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產品服務矩陣，產品廣泛應用于新能源汽車、工業控制、消費電子、通信、家電、醫療、照明、安防、儀器儀表等多個領域，服務于全球40多個國家與地區。

公司秉持與時俱進的發展理念，基于目前先進的功率器件設計及封裝測試能力，持續關注前沿技術及應用領域發展趨勢，全面推動產品升級迭代，提高功率器件產業化及服務閉環的能力，為客戶提供可持續、全方位、差異化的一站式產品解決方案。

展望未來，公司將依托行業洞察的能力，通過品牌與技術雙輪驅動，快速實現“成為國際半導體功率器件的一線品牌”的發展愿景，助力中國半導體產業升級。

 

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