導讀：半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。

 

 

為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國研發和生產SiC、GaN和Si三種技術。這一舉措充分展現了Nexperia對電氣化和數字化領域關鍵技術的有力支持。SiC和GaN半導體使數據中心等高功率應用能夠以出色的效率運行，同時也是可再生能源應用和電動汽車的核心構件。這些寬禁帶技術具有巨大的潛力，對實現脫碳目標越來越重要。

 

Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示： “這項投資鞏固了我們作為節能半導體領先供應商的地位，使我們能夠更負責任地利用可用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋全系列的寬禁帶半導體，同時仍是最大的小信號二極管和晶體管工廠。我們將繼續堅定執行我們的戰略，為標準應用和高耗能應用生產高質量、具有成本效益的半導體，同時應對我們這一代人面臨的最大挑戰之一：滿足日益增長的能源需求，同時減少對環境的影響。 第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產線已于2024年6月投入使用。下一個里程碑將是建立現代化、經濟高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產線。這些生產線將在未來兩年內在漢堡工廠完成。同時，該項投資還將幫助進一步實現漢堡工廠現有基礎設施的自動化，并通過逐步轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產能。”

 

Nexperia德國首席財務官兼常務董事Stefan Tilger表示： “計劃中的投資使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設計和生產。然而，SiC和GaN對于Nexperia來說絕不是新領域。自2019年起，我們的產品組合中就包括GaN FET，而在2023年，我們還與三菱電機合作，擴展了產品范圍，加入了SiC二極管和SiC MOSFET。Nexperia是少數幾家能夠提供全線半導體技術產品系列的供應商之一，包括Si、SiC和涵蓋了E-mode和D-mode的GaN。這意味著，我們為客戶提供了一站式服務，能夠滿足他們所有的半導體需求。 此項投資是Nexperia在漢堡洛克施泰特工廠百年歷史中的又一個重要里程碑。自1924年Valvo Radior?hrenfabrik成立以來，該工廠不斷發展，如今為全球約四分之一的小信號二極管和晶體管需求提供支持。自2017年從NXP分拆以來，Nexperia在漢堡工廠投入了大量資金，員工人數從950人增加到1,600人左右，并將技術基礎設施升級到了最先進的水平。這些持續的投入突顯了公司致力于保持行業領先地位并為全球客戶提供創新解決方案的決心。”