導(dǎo)讀：半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。同時(shí)，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會(huì)增加。此項(xiàng)投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)Melanie Leonhard博士共同宣布的。

 

 

為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國(guó)研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)。這一舉措充分展現(xiàn)了Nexperia對(duì)電氣化和數(shù)字化領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的有力支持。SiC和GaN半導(dǎo)體使數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用能夠以出色的效率運(yùn)行，同時(shí)也是可再生能源應(yīng)用和電動(dòng)汽車的核心構(gòu)件。這些寬禁帶技術(shù)具有巨大的潛力，對(duì)實(shí)現(xiàn)脫碳目標(biāo)越來(lái)越重要。

 

Nexperia德國(guó)首席運(yùn)營(yíng)官兼常務(wù)董事Achim Kempe表示： “這項(xiàng)投資鞏固了我們作為節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商的地位，使我們能夠更負(fù)責(zé)任地利用可用電能。未來(lái)，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋全系列的寬禁帶半導(dǎo)體，同時(shí)仍是最大的小信號(hào)二極管和晶體管工廠。我們將繼續(xù)堅(jiān)定執(zhí)行我們的戰(zhàn)略，為標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用和高耗能應(yīng)用生產(chǎn)高質(zhì)量、具有成本效益的半導(dǎo)體，同時(shí)應(yīng)對(duì)我們這一代人面臨的最大挑戰(zhàn)之一：滿足日益增長(zhǎng)的能源需求，同時(shí)減少對(duì)環(huán)境的影響。 第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于2024年6月投入使用。下一個(gè)里程碑將是建立現(xiàn)代化、經(jīng)濟(jì)高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產(chǎn)線。這些生產(chǎn)線將在未來(lái)兩年內(nèi)在漢堡工廠完成。同時(shí)，該項(xiàng)投資還將幫助進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的自動(dòng)化，并通過(guò)逐步轉(zhuǎn)向使用200毫米晶圓來(lái)擴(kuò)大硅的產(chǎn)能?！?/span>

 

Nexperia德國(guó)首席財(cái)務(wù)官兼常務(wù)董事Stefan Tilger表示： “計(jì)劃中的投資使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。然而，SiC和GaN對(duì)于Nexperia來(lái)說(shuō)絕不是新領(lǐng)域。自2019年起，我們的產(chǎn)品組合中就包括GaN FET，而在2023年，我們還與三菱電機(jī)合作，擴(kuò)展了產(chǎn)品范圍，加入了SiC二極管和SiC MOSFET。Nexperia是少數(shù)幾家能夠提供全線半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品系列的供應(yīng)商之一，包括Si、SiC和涵蓋了E-mode和D-mode的GaN。這意味著，我們?yōu)榭蛻籼峁┝艘徽臼椒?wù)，能夠滿足他們所有的半導(dǎo)體需求。 此項(xiàng)投資是Nexperia在漢堡洛克施泰特工廠百年歷史中的又一個(gè)重要里程碑。自1924年Valvo Radior?hrenfabrik成立以來(lái)，該工廠不斷發(fā)展，如今為全球約四分之一的小信號(hào)二極管和晶體管需求提供支持。自2017年從NXP分拆以來(lái)，Nexperia在漢堡工廠投入了大量資金，員工人數(shù)從950人增加到1,600人左右，并將技術(shù)基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)到了最先進(jìn)的水平。這些持續(xù)的投入突顯了公司致力于保持行業(yè)領(lǐng)先地位并為全球客戶提供創(chuàng)新解決方案的決心?！?/span>