深圳市杜因特半導體有限公司成立于2013年，總部在深圳市龍崗區坂田。公司擁有行業經驗豐富的領導團隊和專業的技術團隊，致力于為客戶提供高品質、高性能的MOS管產品。公司自成立以來，始終堅持專注于MOS管的研發、生產與銷售，2022年，公司被授予“國家級高新技術企業”稱號。

 

 

公司目前擁有3個芯片設計團隊、5個晶圓廠流片產能、投資合作10個封裝廠，整合了晶圓設計、流片、封測、應用整個產業鏈的資源，為廣大電子設計從業者提供穩定產品供應、精準的器件選型和靈活高效的服務! 公司先后導入ISO9001質量管理體系、ISO14001環境管理體系和ISO45001職業健康安全管理體系，使質量和環境管理走向流程化、規范化、程序化的同時，也保證員工的職業健康和安全，減少工作場所意外事故的發生，提高了員工的生產效率和公司的社會責任感。

 

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產品類型豐富，涵蓋Trench，SGT，Planar和Super-Junction等，封裝齊全，參數范圍跨度大，產品能滿足國內絕大部分應用MOSFET的場合。

產品優勢明顯，其中15V-200V Trench MOSFET全電壓系列量產，Rsp和EAS性能可以做到IR，AOS的水平；30V-200V SGT MOSFET全電壓系列產品量產，Rsp和FOM性能可以做到英飛凌OptiMOS 5的水平。

 

 

 

廣泛應用于開關電源、PD快充、光伏儲能、逆變器、LED照明、電動玩具、電動車、航模、UPS、鋰電保護、BMS、噴霧器、無線充、便攜式多媒體、液晶電視等產品以及安防監控、醫療保健設備、儀器儀表和汽車電子等工控類產品。

 

目前公司開始布局車規級、IGBT以及第三代半導體產品(氮化鎵和碳化硅)，敬請期待！

 

 

 

熱銷產品推薦

 

DOS4614S/ N+P管/40V/6A/35mΩ(典型28mΩ)

DOS4606H / N+P管/30V/6.3A/24mΩ(典型值18mΩ)

DOD20N06 / N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

DOD30N06 / N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)

DOD60N02 / N管/20V/60A/6.5MΩ/(典型4.8MΩ)

DOD50N03 / N管/30V/55A/10mΩ(典型7.5mΩ)

DOZ40P03 / P管/-30V/-40A/11MΩ/(典型8.5MΩ)

DOZ30N03 / N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)

DOZ100N03 / N管/30V/100A/3MΩ/(典型2.5MΩ)

DO2301E-Q / P管/-20V/-2A/95MΩ/(典型125MΩ)

DO2302E-Q / N管/20V/2.8A/55MΩ/(典型45MΩ)

DO3400D / N管/30V/5A/30MΩ/(典型25MΩ)

2N7002K / N管/60V/0.3A/2300mΩ(典型1800mΩ)