據最新的消息，國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷經四年自主研發，成功突破了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的關鍵技術，標志著我國在這一領域實現了首次重大突破。在這個創新驅動的時代，作為第九屆立創電子設計開源大賽的協辦單位，微碩半導體（WINSOK）推出了SGT工藝新品。

 

SGT這種技術改變了MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場進一步的變為更為壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻，減小熱阻。目前微碩半導體（WINSOK）新一代的低、中壓的功率MOSFET，廣泛地采用這種技術，如：WSD100N06GDN56、WSD40120DN56G、WSF15N10G、WSR170N04G等。

 

 

 

SGT工藝的優點

SGT工藝MOSFET和普通溝槽型MOSFET相比，開關損耗更低，結電容更小，米勒平臺窄，內阻低。具體而言，SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍，在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極；屏蔽電極與源電極相連，即實現了屏蔽柵極與漂移區的作用，減小了米勒電容，器件的開關速度得以加快，同時又實現了電荷耦合效應，減小了漂移區臨界電場強度，器件的導通電阻得以減小，開關損耗能夠更低。與普通溝槽型MOSFET相比，SGT MOSFET的內阻要低2倍以上。

 

MOSFET通過SGT技術減小場效應晶體管的寄生電容及導通電阻，從而提升芯片性能，減小芯片面積，與普通的溝槽型MOSFET相比在同一功耗下芯片面積減少超過４成。SGT技術獨特的器件結構和掩膜版圖設計提升了產品的耐用度和減少了芯片面積，其獨特的工藝流程設計則減少了工藝步驟和掩膜版的數量，從而減低了MOSFET的生產成本，使MOSFET產品極具性價比，更有競爭力。

 

采用SGT技術制造的MOSFET，與普通的溝槽型MOSFET和平面MOSFET相比，在功率密度上占有很大的優勢。由于SGT MOSFET具有較深的溝槽深度，可以利用更多的晶硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。

 

 

現狀

 

如今，隨著市場上的高端MOSFET的逐步下沉，以及各大功率半導體廠商向高端產品研發的邁進，SGT MOSFET具有更加廣闊的發展空間。為了迎接SGT技術以及更加廣闊的市場，微碩半導體（WINSOK）優化了現有的產品線，推出了一系列30V/60V/100V/120V等（TO-252/DNF3x3/DFN5x6/TO-220/TOLL等封裝）低內阻、大電流、低功耗MOSFET，可應用于電子煙、無線充、電機、應急電源、無人機、醫療、車充、控制器、數碼產品、小家電、消費類電子等領域。

 

微碩半導體（WINSOK）后續將持續和立創商城深化合作，為客戶提供便捷的采購服務。并通過立創商城把微碩半導體（WINSOK）最新、最全面的產品信息及時提供給廣大客戶，讓客戶體驗到創新產品和優質服務。