延伸SiC版圖,安森美宣布收購GTAT
2021-08-26 17:22:42閱讀量:333來源:芯片大師
來源:onsemi
GTAT 成立于1994年,在包括 SiC 在內(nèi)的晶體生長方面擁有豐富的經(jīng)驗。SiC 是下一代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料,可為 SiC 功率開關(guān)器件提供技術(shù)優(yōu)勢,顯著提高電動車 (EV)、EV充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施的系統(tǒng)能效。
該交易將使安森美更好地確保和增加SiC的供應(yīng),滿足客戶對可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)中基于SiC的方案的快速增長需求,包括EV、EV 充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施。隨著可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)在未來十年的快速發(fā)展,把安森美的制造能力與GTAT的技術(shù)專長相結(jié)合,將加速SiC的開發(fā),使安森美更好地服務(wù)于客戶。這增強的SiC能力將使安森美能夠向客戶保證關(guān)鍵器件的供應(yīng),進一步商用化智能電源技術(shù)。
圖:安森美 CEO Hassane El-Khoury
安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury說:“該交易反映了我們對碳化硅方案進行有意義投資的信心和明確承諾,以支持創(chuàng)造智能電源和感知技術(shù),幫助建立一個可持續(xù)的未來。我們專注于深化我們在顛覆性技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位和創(chuàng)新,支持汽車和工業(yè)領(lǐng)域,而GTAT帶來了在開發(fā)晶圓就緒的碳化硅方面出色的技術(shù)能力和專知,我們打算加快和擴展這些技術(shù),以更好地增強我們在高增長終端市場賦能客戶之能力。我們期待著歡迎GTAT的有才干的員工加入安森美團隊,共同推動創(chuàng)新。”
GTAT總裁兼首席執(zhí)行官Greg Knight說:“今天的公告標志著GTAT開始了新的篇章,證明了我們團隊的努力和實力所創(chuàng)造的價值。安森美的戰(zhàn)略定位能擴大我們的能力,提供資源和平臺,以充分發(fā)揮我們尖端生產(chǎn)技術(shù)的潛力,確保我們持續(xù)處在先進晶體生長領(lǐng)域的前沿。”
圖:GTAT 的 SiC 應(yīng)用
安森美計劃投資于擴大GTAT的研發(fā)工作,以推進150毫米和200毫米SiC晶體生長技術(shù),同時還投資于更廣泛的SiC供應(yīng)鏈,包括晶圓廠產(chǎn)能和封裝。
該交易已獲安森美和GTAT董事會的一致批準,預(yù)計將在2022年上半年完成。
關(guān)于GTAT
GT Advanced Technologies Inc.及其包括 GTAT Corporation的全資子公司,總部位于美國新罕布什爾州哈德遜,為高增長市場制造 SiC 和藍寶石材料。碳化硅材料是加速采用電動車、大功率工業(yè)電機和電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用等新一代產(chǎn)品的基礎(chǔ)。藍寶石材料是先進光學(xué)、機械和激光應(yīng)用以及航空航天/國防系統(tǒng)的基礎(chǔ)。GTAT 是其服務(wù)的多元化市場中重要的供應(yīng)鏈合作伙伴。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5637 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.35 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.318 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 | |
B0505S-1WR3/隔離電源模塊 | 2.34 |