導讀：據日媒Tech+報道，HW（以下均簡稱菊廠）將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的3D DRAM技術，進行各種有關內存的演示。

  

圖：相關技術圖像

據Tech+透露，菊廠這次發布的3D DRAM技術，是基于銦鎵鋅氧IGZO-FET材料的CAA構型晶體管3D DRAM技術，具有出色的溫度穩定性和可靠性。

氧化物IGZO由東京工業大學的細野教授于2004年發現并發表在《自然》雜志上。對于該論文，日本媒體評價道：“令人驚訝的是，受到美國政府半導體技術禁運的中國人從事如此尖端的半導體研究，并在國際會議上以30%的接受率被采用。”

該成果被選作該會議程序委員會選出的推薦論文之一，除菊廠之外，IBM、三星、英特爾、Meta、斯坦福大學、喬治亞理工學院等都將展示存儲領域的新突破。

  

圖：菊廠官網

實際上，早在去年的IEDM 2021上，中科院微電子所團隊聯合海思，就曾提出新型垂直環形溝道器件結構（CAA）。該結構減小了器件面積，支持多層堆疊。其通過將上下兩個CAA器件直接相連，每個存儲單元的尺寸可減小至4F2。

而在菊廠官網上，公開對外征集挑戰的奧林帕斯難題中，就包括下一代新型存儲介質技術，本次成果展示的3D DRAM正在其中，可見菊廠對存儲器基礎理論的研究早有淵源。

  

圖：麒麟公眾號

而就在5月19日，麒麟公眾號在一篇關于存儲器的科普文章中寫到，隨著芯片尺寸的微縮，DRAM工藝微縮將越來越困難，“摩爾定律”走向極限，因此各大廠商在研究3D DRAM作為解決方案來延續DRAM的使用。

隨著DRAM市場歷經多年起伏，現今全球主要供應商僅剩3家，包括三星、SK海力士與美光，占據去年整體DRAM市場產值高達94%，為寡占市場，三星與海力士更高達71.3%。

而當前量產的DARM技術中，國內最大制造商工藝大約落后三星、SK海力士五年以上，市占更不足1%。因此，下一代存儲技術的預研和產業化成為關鍵節點。