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意法半導體:與博格華納達成SiC器件供應協議

2023-09-05 15:20:53閱讀量:1274來源:意法半導體

讀:近日,意法半導體宣布與博格華納達成供應協議,將為博格華納專有的“Viper”功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅 (SiC) 功率MOSFET。


  

來源:意法半導體


公告稱,上述功率模塊用于博格華納的牽引逆變器平臺,該平臺專為多種當前和未來的沃爾沃純電動汽車而設計。兩家公司聲稱,最新的合作能夠實現快速增長的電動汽車市場所需的大批量生產能力。


意法半導體汽車和分立器件事業部總裁Marco Monti表示:“我們與全球領先的電氣化汽車供應商博格華納的合作將使沃爾沃汽車能夠為其客戶提供卓越的車輛性能和續航里程。我們致力于擴大SiC產能并加強我們的SiC供應,包括通過垂直整合,以增加產量以支持全球汽車和工業客戶向電氣化和更高效率的轉變。”


為了充分利用意法半導體SiC MOSFET芯片的性能,博格華納稱已與意法半導體的技術團隊密切合作,將其芯片與“Viper”電源開關相匹配,從而最大限度地提高逆變器性能并提供緊湊且經濟高效的架構。


大批量碳化硅產品在意法半導體位于意大利和新加坡的工廠生產 ,并在其位于摩洛哥和中國的后端工廠進行先進的封裝和測試。


去年10月,意法半導體在意大利卡塔尼亞新建了一座集成SiC襯底制造工廠,擴大了其制造能力,該工廠是該公司功率半導體專業技術的所在地,也是SiC集成研究、開發和制造的基地。


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